AS3BJ-M3/52T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | AS3BJ-M3/52T |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $0.41 |
10+ | $0.348 |
100+ | $0.2596 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AA (SMB) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 1.5 µs |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AA, SMB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 20 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | AS3 |
AS3BJ-M3/52T Einzelheiten PDF [English] | AS3BJ-M3/52T PDF - EN.pdf |
DIODE AVALANCHE 200V 3A DO214AA
VISHAY SMA
DIODE AVALANCHE 400V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE AVALANCHE 200V 3A DO214AA
DIODE AVALANCHE 600V 3A DO214AA
AS3BJHM3J/5BT VISHAY
DIODE AVALANCHE 400V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE AVALANCHE 400V 3A DO214AA
DIODE AVALANCHE 400V 3A DO214AA
DIODE AVALANCHE 200V 3A DO214AA
DIODE AVALANCHE 600V 3A DO214AA
DIODE AVALANCHE 200V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() AS3BJ-M3/52TVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|